更強力&更精確的NIR-PLus系統

利用NIR-PLuS 系統處理一顆Brick只需 3 minutes.
1 台 NIR-PLuS = 4 台Lifetime + 1 台IR

PL 技術是利用高能量雷射激發 Si 材料中的電子達到高能量階的游離狀態,在連續的光照之下,電子的游離與再結合達到一個平衡點,此時在此區域的游離載子與能量階跟Si 材料中子雜質含量有相關的依據。因此可以用來判定Si材料中雜質的分布,PL技術利用高感度的IR鏡頭可以紀錄這些分布。

相較於傳統u-PCD利用電導率變化紀錄雜質分布,PL技術無疑是更直接快速的方式,PL 技術所採用的 Laser 是高能量雷射,也比u-PCD的低能量雷射更貼近 Si 電池在太陽光底下的實際激發產生電流過程。

Feature

省時: 檢測流程從傳統 10 分鐘 降到 3 分鐘.
省力: 同時量測IR+LT 搬運過程只需一次.
省錢: 買一台NIR-PLuS 擁有兩台設備功能
高解析度: 0.3mm 取代現有2 mm量測
附加價值: 4面全檢測與3D功能及雜質軟體分析功能
提供長晶製程分析及改善的最有利武器