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R-200 進階型電漿輔助原子層沉積系統

R-200 進階型電漿輔助原子層沉積系統

PICOSUN™ 原子層沉積(ALD)系統專門針對研究、生產、生產研發和試生產進行優化。用途廣泛的反應器設計使2吋至18吋(50毫米至450毫米)的晶片、三維物體,以及多孔基片上均可進行沉積。反應器腔體採用抗腐蝕性工藝材料。輔助配件可以透過安裝各種反應前趨物、不同尺寸的反應器腔體和手動、自動化基板進樣裝置,以及臭氧、氮氣或電漿產生器等來進行設備升級。
詳細介紹
PICOSUN R-200 進階型電漿輔助原子層沉積系統
ALD 奈米級鍍膜首選廠牌

R-200 進階型電漿輔助 ALD 系統

PICOSUN™ 原子層沉積(ALD)系統專為前瞻研究、量產研發及試生產深度優化。獨特的反應器設計支援 2 吋至 18 吋晶片,甚至在複雜的三維(3D)物體及多孔基片上也能展現優異的沉積表現。腔體採用抗腐蝕工藝材料,並支援臭氧、氮氣或電漿產生器等模組化設備升級。

Feature | 核心優勢與製程特色

 
1
100% 薄膜覆蓋率
2
精確的膜厚控制
3
完美的膜厚均勻性
4
無孔隙薄膜 (Pin-hole Free)
5
高度可再現性製程
6
極低製程溫度需求
7
混合材料與奈米分層多層膜能力