Picosun
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R-200 進階型電漿輔助原子層沉積系統R-200 進階型電漿輔助原子層沉積系統
PICOSUN™ 原子層沉積(ALD)系統專門針對研究、生產、生產研發和試生產進行優化。用途廣泛的反應器設計使2吋至18吋(50毫米至450毫米)的晶片、三維物體,以及多孔基片上均可進行沉積。反應器腔體採用抗腐蝕性工藝材料。輔助配件可以透過安裝各種反應前趨物、不同尺寸的反應器腔體和手動、自動化基板進樣裝置,以及臭氧、氮氣或電漿產生器等來進行設備升級。 -
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R-200 Standard 標準型熱化反應式原子層沉積系統R-200 Standard 標準型熱化反應式原子層沉積系統
PICOSUN™ 原子層沉積(ALD)系統專門針對研究、生產、生產研發和試生產進行優化。用途廣泛的反應器設計使2吋至18吋(50毫米至450毫米)的晶片、三維物體,以及多孔基片上均可進行沉積。反應器腔體採用抗腐蝕性工藝材料。輔助配件可以透過安裝各種反應前趨物、不同尺寸的反應器腔體和手動、自動化基板進樣裝置,以及臭氧、氮氣或電漿產生器等來進行設備升級。 -
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P-300B 12吋晶圓級批量式原子層沉積系統P-300B 12吋晶圓級批量式原子層沉積系統
PICOSUN™ 原子層沉積(ALD)系統專門針對研究、生產、生產研發和試生產進行優化。用途廣泛的反應器設計使2吋至18吋(50毫米至450毫米)的晶片、三維物體,以及多孔基片上均可進行沉積。反應器腔體採用抗腐蝕性工藝材料。輔助配件可以透過安裝各種反應前趨物、不同尺寸的反應器腔體和手動、自動化基板進樣裝置,以及臭氧、氮氣或電漿產生器等來進行設備升級。 -
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P-1000 18吋晶圓級批量式原子層沉積系統P-1000 18吋晶圓級批量式原子層沉積系統
PICOSUN™ 原子層沉積(ALD)系統專門針對研究、生產、生產研發和試生產進行優化。用途廣泛的反應器設計使2吋至18吋(50毫米至450毫米)的晶片、三維物體,以及多孔基片上均可進行沉積。反應器腔體採用抗腐蝕性工藝材料。輔助配件可以透過安裝各種反應前趨物、不同尺寸的反應器腔體和手動、自動化基板進樣裝置,以及臭氧、氮氣或電漿產生器等來進行設備升級。