R-200 Standard 標準型熱化反應式原子層沉積系統
PICOSUN™ R-200 Standard 是一款針對科研與中試生產優化的熱化反應 ALD 系統。其具備極佳的反應器相容性，支援 50mm 至 450mm 的多種基板尺寸，並針對複雜三維物體及多孔隙基材展現卓越的熱反應沉積效果。系統採用高規格抗腐蝕材料，並提供多樣化前趨物配置與手/自動進樣裝置，是開發高品質功能性薄膜與多層奈米結構的首選平台。
核心技術與優勢
01
100% 階梯覆蓋率 針對高深寬比與複雜地形結構，實現分子級的全面包裹覆蓋。
02
精密膜厚控制系統 透過熱化 ALD 的自限制反應，精準控制每一層原子的成長厚度。
03
卓越的膜厚均勻性 在各種尺寸的晶圓與物體表面，皆能維持極佳的物理與化學一致性。
04
高品質無孔隙薄膜 沉積出的膜層具備極高的緻密度，有效防止穿透與針孔瑕疵。
05
高可再現性製程 優化的熱場分布與反應氣路設計，確保製程數據具備長期穩定性。
06
低製程溫度適配 可在較低熱環境下完成反應，適用於多種熱敏感基材之鍍膜。
07
奈米分層多層膜結構 支援多種前趨物切換，可開發複雜的奈米分層或混合材料結構。
08
反應器腔體抗腐蝕設計 針對嚴苛的化學製程優化，延長腔體壽命並減少製程汙染風險。